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长晶科技，多领域对标国际大厂！
长晶科技连续多年获评“中国半导体功率器件十强企业”，产品系列和型号超15000个，替代优势明显。
FST3.0 IGBT，标志性成果
当下，我国功率半导体正从平面转型至沟槽式器件，工艺挑战日益凸显。过去，碳化硅行业常被英飞凌等海外大厂企业主导，如今越来越多的中国器件制造商，如长晶科技开始涉足该领域并积极开展先进工艺研发。
2024年12月长晶发布的FST3.0 IGBT产品更是标志性成果， 采用微沟槽栅（1.6μm Pitch）+ 场终止技术，可提高载流子密度，大幅降低通态损耗和开关损耗，性能对标国际Gen7.0水平，已进入头部客户测试评估。
产品线广泛，深受全球客户认可
在技术创新的推动下，长晶科技还成功掌握了SGT MOSFET、CSP MOSFET、超结MOSFET、IGBT单管、第三代半导体等关键技术，并成功开发出多款具有自主知识产权的新产品。这些新产品在技术水平上已达到国内领先、国际先进水平，为长晶科技在半导体行业中的领先地位奠定了坚实基础。
此外，长晶科技的产品线还包括成品（分立器件、电源管理IC）和晶圆两大类，应用覆盖消费、工业、汽车、新能源等多个领域，并在多个细分市场中取得了显著的成绩。在新能源汽车领域，长晶科技与国内多家优秀厂商达成合作，其 IGBT 产品成功应用于电动汽车的充电桩市场，得到了市场的广泛认可，更与众多Tier 1、Tier 2整车厂建立了长期稳定的合作关系。
在国际市场，尽管海外客户对于中国品牌 IGBT 认知尚少，但经过 1 年的市场宣导及欧洲客户的现场交流，长晶在 2025 年 Q1 已陆续收到 3 家欧洲客户送样测试需求。
长晶科技的 IGBT 模块和 MOSFET 产品已通过车企验证，进入比亚迪、小米汽车、长安汽车等供应链，对标国际品牌在车载 OBC（车载充电机）、电机驱动等场景中的应用。
长晶科技替代优势
01 电源管理芯片（PMIC）
LDO/DC-DC：长晶科技的超低功耗 LDO（0.8μA）和高耐压 LDO（>60V）产品与圣邦微、矽力杰等国内品牌位列第一梯队，在部分场景中可对标TI等。
锂电保护/充电管理IC：其产品已进入华为、小米等供应链，替代TI等品牌在消费电子和汽车电子中的应用。
02 IGBT
长晶科技的FST3.0 IGBT系列产品在电能转换效率上相比上一代提升超10%，性能对标ON等国际品牌的最新代次产品，尤其在新能源汽车、光伏储能、充电桩等场景中已进入头部客户测试评估阶段。
03 MOSFET
功率型MOSFET：在12V-20V区间，长晶科技的 RSP 水平处于国内领先、国际第一梯队，可替代ON等。
晶圆级封装MOSFET：长晶科技是国内率先实现该技术规模化量产的企业，产品性能达到国际先进水平，对标ON等同类产品，广泛应用于高端手机和智能穿戴设备。
04 分立器件
二极管/三极管：长晶科技拥有超过5000款二极管和3000款三极管产品，覆盖低VF、高结温等特性，可替代Toshiba等品牌。
TVS/ESD保护器件：其多样化的 TVS 解决方案（如小封装0201/0402 TVS管）可替代Vishay、ON等品牌，应用于手机、消费电子等领域。
05 晶振
长晶科技的石英晶体谐振器、振荡器等产品在小体积封装（如 1612、2016）和超高频（>60MHz）领域同样具有优势，可替代Epson、Murata等品牌。
作为有芯电子代理品牌之一，长晶科技凭借全产业链布局和技术突破，在多个细分领域实现了对国际品牌的替代。尤其在新能源汽车、光伏储能等战略新兴市场表现突出。其替代能力不仅体现在产品性能上，还通过供应链协同和客户认证加速了国产替代进程，成为推动中国半导体自主可控的重要力量。如您有任何需求，欢迎联系我们！
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