作为第三代半导体的核心代表，GaAs和GaN芯片在市场前景、应用领域及国产优势方面均展现出巨大潜力。

 

GaAs芯片因高频、高功率特性，在5G通信、消费电子、汽车电子、航空航天等领域应用广泛，需求持续增长。据QYR调研，2024年全球GaAs射频芯片Fabless收入约36.38亿美元，预计2031年达48.12亿美元，年复合增长率4.1%。国产GaAs芯片在政策支持、市场需求推动下，企业如长光华芯、立昂微等正逐步实现技术突破。

 

GaN功放芯片则凭借优异性能，在5G基站、卫星通信、雷达系统等应用前景广阔，据博思数据预测，2032年全球GaN固态功率放大器市场规模将飙升至22.6亿美元，年复合增长率43.86%。国产GaN芯片在政策支持、技术突破和成本优势下，企业如55所、英诺赛科、三安光电等加速发展，助力国产替代进程。

 

除了这些头部厂商，浩瀚芯光凭借军工领域的技术积累和产业链协同优势，也已国内GaAs和GaN射频芯片市场占据一席之地。


image.png


image.png



image.png

（有芯电子于2022年起获得浩瀚芯光授权代理）


成都浩瀚芯光微电子科技有限公司是一家专注于化合物半导体领域的射频微波芯片设计公司。为成都亚光电子股份有限公司的控股子公司，致力于GaAs芯片的国产化替代，以及第三代化合物半导体GaN功放芯片的研发。设计团队成员均来自于业内各大知名公司，经验丰富。具备GaN功放芯片，GaAs幅相控制多功能芯片、变频多功能芯片、收发多功能芯片等全套成熟的设计体系，产品性能国内领先，能够为用户提供射频微波收发前端的完整解决方案。

 

浩瀚芯光在国内射频微波芯片细分市场占据重要地位，尤其在军工领域，其产品性能对标国际龙头企业（如 Qorvo、MACOM、Mini-Circuits），是国产替代的核心供应商之一。


image.png

image.pngimage.png

2025第十一届世界雷达博览会上，浩瀚芯光产品一览


应用领域

 

image.pngc 

 

浩瀚芯光产品可面向军工电子、卫星通信、5G/6G 基站等高端市场：

● 军工领域：作为亚光科技的战略布局，其芯片被应用于雷达、电子对抗等国防装备，支撑国产武器装备的核心器件自主化。

● 卫星通信：针对低轨卫星星座建设需求，推出高集成度、低功耗的射频芯片，助力卫星互联网地面终端设备的小型化与高性能化。

● 民用市场：在 5G 基站射频模块、工业雷达等领域逐步拓展，与中兴、华为等通信设备商建立合作关系。

 

技术优势

 

● 掌握 GaN 功放芯片、GaAs 多功能芯片等全套设计体系，在高频段（如 Ku/Ka 波段）芯片设计上具有显著竞争力。其芯片采用片上金属化通孔工艺，接地性能优异，无需额外接地措施，简化了客户应用难度。

● 拥有自主后道产线，覆盖晶圆切割、清洗、封装等全流程，可实现从芯片设计到成品交付的闭环管理，保障供应链稳定性。

● 已申请多项发明专利，如超宽带渐变温补分布式微波功率放大芯片技术，推动国产射频芯片技术突破。

 

image.png 

 

image.png

image.png

image.png

image.png

image.png

image.png 

 

新品推荐

 

高通滤波器芯片MH2503

- 通带频率覆盖4GHz-24GHz。

- 采用境内GaAs IPD工艺制造，体积小，重量轻，一致性好；

- 通带插损1.0dB,在3.3GHz有24dB衰减，在3.2GHz有32.5dB衰减；

- 芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接工艺，粘接温度≤150℃；

- 采用片上金属化通孔工艺,保证良好接地,使用简单方便,无需额外的接地措施。

 

宽带GaAs功率放大器芯片MH369PQ5

- 工作频率覆盖2GHz-6GHz；

- 芯片采用双电源供电，典型工作电压为VD=+8V, VG=-0.8V；

- 连续波模式下可提供22dB小信号增益和33dBm 1dB增益压缩点输出功率；

- 该芯片可应用在雷达微波收发组件及大功率固态发射机中，采用境内工艺制造，可满足国产化应用需求。

 

无源双平衡混频器MH609B/MH609BM

- RF/LO频率覆盖4GHz-11GHz，中频频率覆盖DC-3.5GHz；

- 采用GaAs工艺制造，典型变频损耗8dB，典型LO-RF隔离度40dB，典型LO-IF隔离度35dB，典型RF-IF隔离度16dB，典型本振输入功率15dBm；

- 芯片背面进行了金属化处理，适用共晶烧结工艺，采用片上金属化通孔工艺保证良好接地，使用简单方便,无需额外的接地措施；

- MH609BM为MH609B的镜像版本。

 

六位数控衰减器MH577PQ4A

- 工作频率覆盖0.05-6GHz；

- 采用GaAs工艺制造，塑料封装，封装尺寸为4mmx4mm；

- 采用0/+5V逻辑控制，需外接+5V驱动电压；

- 封装背面的中心焊盘为接地焊盘,使用中需良好接地。

 

DC-20GHz步进衰减器MH023B

- 工作频率覆盖DC-20GHz；

- 采用GaAs工艺制造，通过改变芯片内部金丝键合方式可获得八个不同状态的衰减量，衰减范围0-3.5dB，步进0.5dB，输入输出回波损耗-15dB。

 

超宽带低噪声放大器MH1051

- Ka波段GaAs低噪声放大器芯片，工作频率覆盖 18GHz~40GHz；

- 在+5V单电源供电模式下，噪声系数典型值为 2.5dB，并可提供22dB的小信号增益和16dBm的P1dB输出功率；

- 在+4V 单电源供电模式下，噪声系数典型值为2.3dB，并可提供21dB的小信号增益和14dBm的P1dB输出功率。


联系我们

官网：www.rightic.cn

电话：18100283063（余先生）

邮箱：owen.yu@rightic.cn

地址：深圳·福田-多丽工业区科技楼101